新一代镓铟氮砷/镓砷长波长激光器、探测器研究取得重要突破[中国照明网·资讯中心·照明快讯]

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新一代镓铟氮砷/镓砷长波长激光器、探测器研究取得重要突破

日期：2005-6-10

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由中科院半导体研究所承担的国家“973”项目、“863”项目和中科院重大项目“新一代镓铟氮砷（GaInNAs）长波长电子材料与器件”近日取得重要突破。在世界首次研制出第一只镓铟氮砷/镓砷（GaInNAs/GaAs）多量子阱谐振腔增强探测器，室温探测模式波长1.55微米，量子效率34%，响应度大于0.4安培/瓦，暗电流密度小于4.96E-3安培/平方米，响应时间1纳秒；在国内首次制备出第一只镓铟氮砷/镓砷（GaInNAs/GaAs）量子阱边发射激光器，实现室温连续激射，激射波长1.30微米，采用脊形波导条形结构腔面镀膜的激光器值电流密度小于650安培/平方厘米，输出功率大于30毫瓦。镓铟氮砷/镓砷量子阱长波长探测器和激光器的研制成功，标志着我国砷化镓基近红外波段电子材料与器件的研究水平已进入世界先进行列。

　　《半导体之声》

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