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位于南昌高新开发区的晶能光电（江西）有限公司，在GaN基半导体发光材料领域创造性发展出第三条半导体照明技术路线——硅衬底LED技术，目前已获及在申请国内、国际发明专利40余项，是世界首家在硅上生长氮化镓的公司，也是中国唯一一家具有“硅衬底发光二极管”自主知识产权的LED生产企业。
“硅衬底蓝光二极管材料及器件”是一种新型发光材料与器件，而“晶能光电”用“硅”代替传统的“蓝宝石”或“碳化硅”作衬底制造发光二极管材料及器件，成本大大降低。晶能光电称，其成功地解决了硅衬底氮化镓基外延材料龟裂、发光二极管亮度低、工作电压高、可靠性差等问题，开发成功的硅衬底氮化镓基发光二极管外延材料质量和器件性能均处于国际同类材料与器件的领先水平。
晶能光电是以南昌大学发光材料与器件教育部工程研究中心为技术依托，由金沙江、淡马锡、Mayfield、永威投资、凯鹏华盈等多家国际风投共同投资，专门从事硅衬底氮化镓基LED外延材料与芯片生产的
企业，注册资金5000万美元，总投资30亿元人民币。
据介绍，晶能光电的器件封装工艺为，芯片为上下电极单引线垂直结构，在器件封装时只需单电极引线，简化了封装工艺并节约了制造成本。晶能光电“硅衬底发光二极管材料与器件”产业化项目一期工程于今年4月底试投产，5月开始批量生产，形成了30亿粒的年产能。根据投资规划，二期工程将投资9亿元实现年产100亿粒蓝、绿光LED芯片，三期工程投资15亿元，建设成LED大功率照明应用产品及产业集群。
编辑：中国照明网 荒原
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