首届第三代半导体材料及应用发展国际研讨会
在深圳举行

　　以GaN、SiC为代表的第三代半导体材料，是近10年发展起来的新型宽禁带半导体材料。随着市场需求的不断扩大、投资环境的日益改善、优惠政策的吸引及全球半导体产业向中国转移等等原因，我国政府也高度重视第三代半导体材料的研究与开发。为了对科技部持续部署“第三代半导体材料及应用”相关项目研究提供决策支撑，国家半导体照明工程研发及产业联盟于2013年9月5日第十五届中国国际光电博览会期间举办“首届第三代半导体材料及应用发展国际研讨会”。

　　本次研讨会由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)研发执行主席李晋闽、南京大学常务副校长张荣联合主持。中国科学院院士郑有炓教授、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)秘书长吴玲、北京大学物理学院副院长沈波、能讯微电子有限公司总裁张乃千等行业专家和企业代表应邀出席了会议。

　　图为会议现场

　　本次研讨会内容涉及广泛，包括第三代半导体材料的发展现状与趋势、我国第三代半导体材料及应用的科技计划、国际第三代半导体材料的研发部署重点及研发方向情况分析、第三代半导体材料器件在通讯领域的应用和发展趋势等议题。着重论述了以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料、器件及应用在近几年的发展情况，并指出了SiC和GaN材料、器件今后的研究重点和发展方向。

　　图为国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)研发执行主席李晋闽发表讲话

　　除此之外，由南昌大学江风益副校长主持的“头脑风暴”环节掀起现场高潮，与会嘉宾就第三代半导体材料的应用技术难点、技术上的突破点和研发方向、不同应用领域的新趋势和需求、短中长期可能的商业化应用及有价值的投资机会等热点问题进行深度讨论。

　　本次会议的举行对于我国第三代半导体材料核心技术研发及在相关应用领域的产业化，开展创新应用技术研发和示范方面起到推动作用。