在GaN基光电子器件中，大量的专利内容集中于发光区的结构设计，主要包括：普通双异质结（EP0599224）；一般的方形量子阱（包括单量子阱和多量子阱、EP1189289和JP11054847）；梯形量子阱（US6309459）；三角量子阱以及非对称量子阱（GB2361354）；采用非掺杂的载流子限制层（US2002093020）；活性层与p型层之间加入缓冲层（US2001011731）；采用多量子垒（MQB）做载流子限制层（US2001030317）等等。这些专利设计的目的均是为了提高活性区的发光效率。
中国照明网技术论文·LED照明器件制作：以8项典型技术为代表
中国照明网技术论文·LED照明基于物理机制和工艺技术的讨论，我们对有关GaN基发光产品的全套器件制作专利做了分析，现列举8项典型代表技术：
中国照明网技术论文·LED照明一是美国专利US5631190（Method for producing high efficiency light-emittingdiodesandresultingdiodestructures），即制作高效发光二极管和实现二极管结构的方法。其专利拥有者为CreeResearch.
中国照明网技术论文·LED照明二是美国专利US5912477（Highefficiencylightemittingdiodes），即高效率发光二极管，其专利拥有者为CreeResearch.
中国照明网技术论文·LED照明三是专利WO0141223（ScalableLEDwithimprovedcurrentspread-ing），即具有改进的电流分布层的发光二极管。其专利拥有者为Cree Re-search.
中国照明网技术论文·LED照明四是美国专利US6526082（P-con-tactforGaN-based semiconductorsutilizingareverse-biasedtunneljunction），即用反偏的隧道二极管制作GaN基半导体的P型接触层。其专利
中国照明网技术论文·LED照明拥有者为Lumileds.
中国照明网技术论文·LED照明五是美国专利US2002017652（Semiconductorchipforoptoelectronics），即管芯的制作方法。其专利拥有者为Osram.
中国照明网技术论文·LED照明六是US6538302（Semiconductorchipandmethodfortheproductionthereof），即半导体芯片及其制作方法。
中国照明网技术论文·LED照明其专利拥有者为Osram.
中国照明网技术论文·LED照明七是专利DE10064448.其专利拥有者为Osram.
中国照明网技术论文·LED照明 八是美国专利US6078064（Indiumgalliumnitridelightemittingdiode），即InGaN发光二极管。其专利拥有者为EPISTAR.
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哈哈，给大家分享一个下载统计年鉴的好地方，夏泽网 nianjian.xiaze.com，里面的年鉴非常齐全，现在2019年的最新年鉴还可以免…
中照网网友 在2021-1-11 9:45:39发表
可否提供诸玉华的联系方式？
中照网网友 在2018-6-6 17:54:50发表
shiyong
中照网网友 在2016-12-29 17:53:27发表
伟然科技照明
中照网网友 在2016-6-2 11:44:56发表
这个确实是事实，可是国家一边为了照顾经济发展，一边又没有投入资金对企业进行辅导，确实让企业也茫然。是无奈还是放任，这需…
中照网网友 在2016-5-19 11:36:38发表
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