4. 测试结果与分析

　　4. 1. 光色电测试结果

　　对封装后的样品选取普通LED 和ODR LED 各 7 个，两类LED 中不同样品各自编号，先进行LED的快速光色电测试，测试仪器为杭州远方HAAS- 2000 LED 快速光色电综合测试量系统，测试温度为 25℃，测试电流为350 mA，两组LED 的测试结果如 下，表3 中去除5 号、表4 中去除5 号和7 号等性能 不佳的样品，两组样品测量反向漏电流时的反向电 压均为- 5. 008 V.

　　从表3 中可以看出，整体样品品质较好，光通量 较高，平均值达到76. 62 lm，光效达到65. 11 lm /W， 并且在正常工作电流为350 mA 情况下，电压仅为 3. 362 V，色纯度为10. 3% ，但色温偏高，为7010 K; 表4 看出经过ODR LED 处理后的LED 在光学、电 学、色参数方面都有明显改善，光通量到达81. 25 lm，光效为68. 85 lm /W，比普通LED 分别提高了 4. 23 lm，3 . 74 lm /W，相对提高了6. 04%，5. 74% ，电 压为3. 371 V，仅增加了9 mV. 通过ODR LED 与普 通LED 的主波长、色温对比，我们认为ODR 对于黄 绿光的反射作用要强于蓝光，导致ODR LED 的白 光光谱中黄绿光相对普通LED 的光强增加量高于 蓝光，这一方面导致ODR LED 的色温比普通LED 的色温更低，降低了1804 K，大幅度提高LED 的色温性能; 另一方面导致ODR LED 主波长红移. 而且 ODR LED 的色纯度明显比普通LED 高，提高 8. 1% ，相对提高了78. 64% .

　　4. 2. 光谱测试

　　对测试的ODR LED 与普通LED 的发光光谱进 行测试，结果如图4 所示，从图中可以看到，两种样 品均产生两个波峰，并且两个波峰位置相同，一个 峰位于445 nm，属于蓝光光谱范围，另一个峰位于 546 nm，为黄绿光光谱范围，这是由于这批白光LED 样品采用在LED 蓝光芯片上涂覆YAG ( yttrium aluminum garnet，钇铝石榴石) 荧光粉，芯片发出的 蓝光激发荧光粉后可产生典型的500—580 nm 黄绿 光，黄绿光再与蓝光合成白光. 利用这种方法制备白光简单，便于实现且效率高，资金投入不大，因此具有一定的实用性.

　　从图4( a) ，( b) 中可以看出，ODR LED 与普通 LED 的第一个峰位，均位于445 nm 处，两种LED 的 FWHM 均为33 nm 左右，但从图中右上角相对光谱 强度可以看出ODR LED 的蓝光光谱强度要高于普 通LED; 另一个峰位，两种LED 均位于546 nm，ODR LED 的FWHM 为122. 0 nm，普通LED 的FWHM 为 120. 43 nm，ODR LED 的FWHM 要略大于普通 LED，仍需改进; ODR LED 中黄绿光的光谱强度也 高于普通LED，这都是由于ODR 的反射作用. 但 ODR LED 较普通LED 而言，黄绿光的增加量高于 蓝光，我们认为ODR 对于白光中黄绿光的反射强度 要高于蓝光，使得白光光谱中黄绿光的增加高于蓝 光的增加，这也正是主波长红移和色温降底的原因.