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LED芯片封装缺陷检测方法研究(第2页)
来源：传感技术学报
作者：蔡有海 文玉梅
浏览：1881人次
发布：2010-02-02
注：其他网站转载须注明出处，转载而不注明出处者，一经查实，将追究其法律责任
引脚式LED芯片封装工艺中封装缺陷不可避免。基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应，分析了一种封装缺陷对LED支架回路光电流的影响。利用电磁感应定律对LED支架回路光电流进行非接触检测，得到LED芯片功能状态及芯片电极与引线支架问的电气连接情况，并对检测精度的影响因素进行分析。
其中q为电子电量，m为电子质量，矗为普朗克常数，vx、vy、vz分别是电子在x、y、z方向的隧穿速度，T(x)为电子的隧穿概率。又任意势垒的电子隧穿概率可表示为[13]
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其中jin、jout。分别是进入膜层和穿过膜层的电流密度，
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x指向为芯片电极表面到压焊点，为膜层中z方向任意点的势垒，E是垂直芯片电极表面速度为vx电子的能量。
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图2为在电场f’作用‘F芯片电极表面的势垒图，其中EF为费米能级，U'为电子发射势垒。由图
中国照明网技术论文·照明设计与工程2，若芯片电极表面为突变结，其值为U0，光生电流在隧道结两侧形成的电场强度为F，电极表面以外的势垒为U0- qFx。取芯片电极导带底为参考能级E0(x=0)，因而有x<0处，U(x)=0;x>0处，U(x)=U0- qFx，根据条件U(x)=E=U0- qFx2
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式中d为膜层厚度，V为膜层隧道结两侧电压。当LED芯片发生光生伏特效应时，由式(7)可知，流过芯片电极表面非金属膜层的电流受到膜层厚度的影响，随着膜层增厚，流过膜层的电流减小，流过LED支架回路的光电流也将减小。
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中国照明网技术论文：LED芯片封装缺陷检测方法研究[蔡有海 文玉梅]
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中照网网友 在2016-12-29 17:53:27发表
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中照网网友 在2016-6-2 11:44:56发表
这个确实是事实，可是国家一边为了照顾经济发展，一边又没有投入资金对企业进行辅导，确实让企业也茫然。是无奈还是放任，这需…
中照网网友 在2016-5-19 11:36:38发表
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