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“电光源”论文

[电光源白光 LED用碱土金属硅酸盐荧光粉的光谱性质

作者:

采用固相法合成了 A: (SrBa)3SiO5∶0. 024Ce3 +, 0. 024Li+; B: Sr2. 73M0. 2SiO5∶0. 07Eu2 +(M = Ba,Mg,Ca) ; C: (SrBa)3SiO5∶xEu2 +三个系列的硅酸盐荧光粉。测量了它们的激发光谱和发射光谱。Ce3 +激活的硅酸盐荧光粉 (A系列 )有 351, 418 nm两个激发峰 , 418 nm这个峰较强。

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[电光源空穴传输层厚度对OLED性能的影响

作者:阳秀 黎威志 钟志有 蒋亚东

该文采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK(0-60nm)/Alq3(60nm)/Mg:Ag/Al有机发光二极管。通过测试器件的电流-电压—发光亮度特性,研究了空穴传输层厚度对有机发光二极管器件性能的影响,优化了器件功能层的厚度匹配。实验结果表明,有机发光二板管的光电性能与空穴传输层的厚度密切相关,当空穴传输层厚度为15nm 时,有机发光二板管器件具有最低的起亮电压、最高的发光亮度和最大的发光效率。

标签:器件性能空穴传输层有机发光二极管厚度4037人次阅读【在线浏览

[电光源GaN外延片中载流子浓度的纵向分布

作者:方文卿 李述体 刘和初 江风益

采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ECV)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向分布。探讨了该分布与晶体生长过程及晶体质量的关系,测量分析结果可为生长工艺参数的优化提供参考。还采用主扩散模型对测量结果进行高斯拟合,得出了高温时(1030e)硅在GaN中的扩散系数,并由此估算了硅在GaN外延片中的扩散宽度。该结果可为GaN外延层结构设计提供参考。

标签:GaN硅扩散氮化镓电化学电容电压6773人次阅读【在线浏览

[电光源【特约】基于DS1302和Attiny13的LED定时调光器设计

作者:林方盛 江磊 刘木清

在LED路灯控制系统中常需要定时控制,而其中定时器的设计至关重要。通过对比,本文采用DS1302这款高性能、低功耗的RTC时钟芯片。本设计中介绍了整套定时器系统的结构,给出了Attiny13和DS1302接口电路以及软件程序,同时对DS1302烧写实时时间的模块进行软硬件部分的设计。整套系统通过LED路灯的定时开关和分时PWM调光达到节能的目的。

标签:LEDDS1302Attiny13定时器PWM调光7492人次阅读【在线浏览

[电光源解读EMC封装成形常见缺陷及其对策

作者:

塑料封装以其独特的优势而成为当前微电子封装的主流,约占封装市场的95%以上。塑封产品的广泛应用,也为塑料封装带来了前所未有的发展,但是几乎所有的塑封产品成形缺陷问题总是普遍存在的,也无论是采用先进的传递模注封装,还是采用传统的单注塑模封装,都是无法完全避免的。

标签:EMC封装封装工艺塑料封装5306人次阅读【在线浏览

[电光源如何选择LED驱动电源的拓扑结构

作者:

LED 的高可靠性(使用寿命超过50,000 个小时)、较高的效率(》120 流明/瓦)以及近乎瞬时的响应能力使其成为极具吸引力的光源。

标签:LEDLED驱动电源拓扑结构3426人次阅读【在线浏览

[电光源稀土荧光灯的色容差调整对光通量的影响

作者:丁有生 汪晖

照明用稀土荧光灯具有光效高、显色性好、光色舒适等突出优点,越来越受到人们的青睐。

标签:稀土荧光灯色容差光通量3546人次阅读【在线浏览

[电光源高亮度细粒径荧光粉的封装应用研究

作者:徐俊峰 梁超 符义兵

采用自主开发的YH型YAG荧光粉产品与市售进口及国产同类产品的光色指标及粒径等进行了全面对比分析。在此基础上,通过封装测试,对荧光粉的初始光效、老化性能及量产打靶集中度等封装应用性能进行了系统试验研究,并结合量产数据对成本控制进行了测算。

标签:高亮度荧光粉LED封装YAG荧光粉白光LED博睿光电5225人次阅读【在线浏览

[电光源投影光源兼容性和驱动技术研讨

作者:余明云 张蔚东 丁有生

详细介绍了高兼容性投影灯与配套驱动器的设计与实现,致力于研究具有广泛兼容特性的投影光源。以实现投影仪用光源全面国产化作为方向,对投影灯和驱动的技术协调进行重点研究和实验,并进行了市场化推广与验证。实践证明我们的尝试是成功的,对于实现投影仪用光源的全面国产化有积极意义。

标签:超低起动电压高兼容性驱动器光源系统国产化5090人次阅读【在线浏览

[电光源牺牲Ni 退火对硅衬底GaN 基发光二极管p 型接触影响的研究

作者:王光绪 陶喜霞 熊传兵 刘军林 封飞飞 张萌 江风益

本文通过在硅衬底发光二极管( LED) 薄膜p-GaN 表面蒸发不同厚度的Ni 覆盖层,将其在N2 ∶ O2 = 4∶ 1的气氛中、400℃—750℃ 的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni 覆盖层之后制备Pt / p-GaN 欧姆接触层。

标签:氮化镓发光二极管牺牲Ni退火p型接触5606人次阅读【在线浏览
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